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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
69
左右 -82% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
38
读取速度,GB/s
3,325.1
16.6
写入速度,GB/s
1,441.2
15.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2961
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
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