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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
3,325.1
15.3
写入速度,GB/s
1,441.2
12.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3126
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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