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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
69
左右 -28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
54
读取速度,GB/s
3,325.1
10.8
写入速度,GB/s
1,441.2
8.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2277
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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