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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
3,325.1
17.1
写入速度,GB/s
1,441.2
13.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2833
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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