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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Super Talent F24SB8GH 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Super Talent F24SB8GH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Super Talent F24SB8GH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
69
左右 -214% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
22
读取速度,GB/s
3,325.1
16.0
写入速度,GB/s
1,441.2
8.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2337
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
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