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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
69
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
40
读取速度,GB/s
3,325.1
17.5
写入速度,GB/s
1,441.2
9.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2462
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-2GBRM 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
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