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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
64
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,869.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
53
读取速度,GB/s
4,477.7
20.0
写入速度,GB/s
1,869.1
9.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
2366
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
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