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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
50
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
27
读取速度,GB/s
15.3
18.5
写入速度,GB/s
10.9
16.0
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3873
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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