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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
50
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
29
读取速度,GB/s
15.3
16.1
写入速度,GB/s
10.9
13.1
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3072
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
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