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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
53
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
47
读取速度,GB/s
3,726.4
11.2
写入速度,GB/s
1,590.1
8.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2362
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
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