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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
46
左右 -15% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
40
读取速度,GB/s
15.9
14.8
写入速度,GB/s
12.8
11.2
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2936
2709
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
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