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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
30
左右 20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
30
读取速度,GB/s
14.9
15.8
写入速度,GB/s
10.6
10.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2880
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
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