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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
40
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
40
读取速度,GB/s
14.9
9.3
写入速度,GB/s
10.6
6.4
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2117
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB RAM的比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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