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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Kingston 9905624-004.A00G 4GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
24
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
23
读取速度,GB/s
14.9
16.3
写入速度,GB/s
10.6
12.0
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2512
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
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