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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
85
左右 72% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
85
读取速度,GB/s
14.9
15.1
写入速度,GB/s
10.6
8.1
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
1772
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
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