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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
15.5
17.8
写入速度,GB/s
12.0
14.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3462
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
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