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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
15.5
18.6
写入速度,GB/s
12.0
14.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3480
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
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