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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
INTENSO M418039 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs INTENSO M418039 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
38
左右 -90% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
20
读取速度,GB/s
15.5
16.0
写入速度,GB/s
12.0
7.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2414
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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