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Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
比较
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB vs Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.1
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
38
读取速度,GB/s
10.8
13.1
写入速度,GB/s
6.5
9.1
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1953
2264
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB RAM的比较
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Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
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