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Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
比较
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
48
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.5
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
48
读取速度,GB/s
10.8
8.9
写入速度,GB/s
6.5
5.9
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1953
1420
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB RAM的比较
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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