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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.9
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
11.9
11.4
写入速度,GB/s
8.1
12.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2804
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
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