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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
11.9
14.7
写入速度,GB/s
8.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2882
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
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