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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
66
左右 59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
66
读取速度,GB/s
13.8
16.4
写入速度,GB/s
8.4
6.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1737
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
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