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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
11.9
14.8
写入速度,GB/s
8.1
10.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2849
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB RAM的比较
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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