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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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规格
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
11.9
18.8
写入速度,GB/s
8.1
15.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3734
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
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