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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

总分
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

总分
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 45
    左右 -80% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.2 left arrow 11.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.6 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    11.9 left arrow 17.2
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 14.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2077 left arrow 3414

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 9905734-062.A00G 32GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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内存RAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
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Kingston 9905663-006.A00G 16GB
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