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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
45
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
21
读取速度,GB/s
11.9
18.2
写入速度,GB/s
8.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2718
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
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