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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
11.9
18.1
写入速度,GB/s
8.1
14.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3418
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
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Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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