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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
11.9
16.5
写入速度,GB/s
8.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2709
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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