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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
11.9
16.4
写入速度,GB/s
8.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3148
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
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