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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
11.9
14.7
写入速度,GB/s
8.1
11.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2732
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 99U5700-028.A00G 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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