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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
47
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.9
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
47
读取速度,GB/s
11.9
11.1
写入速度,GB/s
8.1
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
1967
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
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