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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
11.9
16.7
写入速度,GB/s
8.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3406
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
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