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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,723.5
14.7
写入速度,GB/s
2,076.1
9.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2597
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
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