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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
11.9
15.6
写入速度,GB/s
8.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2316
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
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