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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
11.9
16.8
写入速度,GB/s
8.1
9.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2726
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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