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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
45
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
36
读取速度,GB/s
11.9
19.4
写入速度,GB/s
8.1
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3351
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
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G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
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Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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