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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.2
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
12.2
12.1
写入速度,GB/s
7.9
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
2478
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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