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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
12.2
15.7
写入速度,GB/s
7.9
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
2824
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
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