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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
11.8
19.1
写入速度,GB/s
8.0
16.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
4052
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
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Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
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