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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
4,937.3
16.8
写入速度,GB/s
2,061.2
13.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2683
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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