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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
11.8
17.3
写入速度,GB/s
8.0
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3332
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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