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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
11.8
15.6
写入速度,GB/s
8.0
13.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2964
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
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