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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
11.8
18.4
写入速度,GB/s
8.0
14.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3388
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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