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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
11.8
17.3
写入速度,GB/s
8.0
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3294
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
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