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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB

总分
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    47 left arrow 50
    左右 6% 更低的延时
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.5 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 50
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 13.5
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 8.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2061 left arrow 2424

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较

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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
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Kingston 9905700-013.A00G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
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Mushkin 991586 2GB
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