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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
差异
规格
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
11.8
13.3
写入速度,GB/s
8.0
10.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2306
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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