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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
10.4
18.2
写入速度,GB/s
7.8
14.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3510
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB RAM的比较
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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