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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.8
16.6
写入速度,GB/s
8.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3277
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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