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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
104
左右 -189% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
36
读取速度,GB/s
3,192.0
14.2
写入速度,GB/s
2,404.5
11.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2462
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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